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产品分类
半导体存储器(20)
- Nand flash(20)
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产品信息
NT6DM32M16AD-T1
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Nanya Technology | DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 60-Pin FBGA |
是 2011/65/EU, 2015/863 |
量产 |
但是因为力晶资产大于负债,ECB持债人不大可能像茂德一样同意折价,因此力晶提出四成现金、六成股票搭配不折价的变更条件,债权银行团也只好配合通过。
DRAM记忆体大厂力晶将于今(19)日台股开盘前公告,1.57亿美元(约新台币52亿元)海外可转换公司债(ECB)与债权人协商重新设定转换价格结果。